IPD034N06N3G دیتاشیت

IPD034N06N3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD034N06N3G
حجم فایل 58.824 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IPD034N06N3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD034N06N3G
  • Power Dissipation (Pd): 167W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@93uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.4mΩ@10V,100A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه